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SIHH21N65E-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

20.3A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±30V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

170 毫欧 @ 11A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2404 pF @ 100 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

99 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

PowerPAK® 8 x 8

功率耗散（最大值） :

156W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

650 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V