产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- STFU25N60M2-EP
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 18A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±25V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.75V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 188 毫欧 @ 9A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1090 pF @ 100 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 29 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-220FP
- 功率耗散(最大值) :
- 30W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3 整包
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 600 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
                                            RN73R2BTTD6263F100
                                            RN73R2BTTD7683D100
                                            RN73R2BTTD5491D100
                                            RN73R2BTTD9653D100
                                            RN73R2BTTD5302F25
                                            RN73R2BTTD6810F25
                                            RN73R2BTTD56R2D100
                                            RN73R2BTTD6040D100
                                            RN73R2BTTD59R7F50
                                            RN73R2BTTD81R6D100
                                            RN73R2BTTD9310D25
                                            RN73R2BTTD9531F100
                                            RN73R2BTTD6572F100
                                            RN73R2BTTD6493F25
                                            RN73R2BTTD9881D100
                                            RN73R2BTTD71R5D100
                                            RN73R2BTTD5303F100
                                            RN73R2BTTD85R6D25
                                            RN73R2BTTD5760D100
                                            RN73R2BTTD8203D25
                                    
            
 
                                         
                         
                         
                         
                         
                 
                            