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IMBG120R030M1HXTMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

56A（Tc）

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+18V，-15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5.7V @ 11.5mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

41 毫欧 @ 25A，18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2290 pF @ 800 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

63 nC @ 18 V

供应商器件封装 :

PG-TO263-7-12

功率耗散（最大值） :

300W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1200 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-