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SCTH35N65G2V-7

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

45A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+22V，-10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.2V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

67毫欧 @ 20A，20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1370 pF @ 400 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

73 nC @ 20 V

供应商器件封装 :

H2PAK-7

功率耗散（最大值） :

208W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

650 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

18V，20V