产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SIHP30N60E-GE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 29A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 125 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2600 pF @ 100 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 130 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- -
- 功率耗散(最大值) :
- 250W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 600 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MWSD1005CP4N7DSTF
DFP 252010BF-R68M
MWSD1005CP12NJSTF
MWSD1005C4N7BTM81
SDWL1608C20NGSTFM01
MPH201210S2R2MT
MWSD1005C7N6HTM81
MWSD1005C6N2KT
MWSD1005CP4N7JSTF
DFP 252010BF-1R0M
MWSD1005CP2N7SSTF
MWSD1005C4N5BTM81
MPH252010C6R8MT
MPH201214S100MT
MWSD1005C7N5JTM01
MWSD1005C2N4KTM81
MWSD1005CP26NJSTF
HPC 3012TF-100M
MWSD1005CP30NGSTF
MWSD1005C2N7KT