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LND01K1-G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

330mA（Tj）

FET 功能 :

耗尽模式

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+0.6V，-12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

1.4 欧姆 @ 100mA，0V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

46 pF @ 5 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

SOT-23-5

功率耗散（最大值） :

360mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-74A，SOT-753

工作温度 :

-25°C ~ 125°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

9 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

0V