产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IPN60R1K0CEATMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 6.8A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3.5V @ 130µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1 欧姆 @ 1.5A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 280 pF @ 100 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 13 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT223-3
- 功率耗散(最大值) :
- 5W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 600 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNC60J7601BSRE6
RNC60J7951BMB14
RNC60J7951BMRE6
RNC60J7951BSB14
RNC60J7951BSRE6
RNC60J7002BSB14
RNC60J7620BSB14
RNC60J7620BSRE6
RNC60J7702BSB14
RNC60J8071BSB14
RNC60J8071BSRE6
RNC60J8501BSB14
RNC60J8641BSB14
RNC60J8641BSRE6
RNC60J8821BSB14
RNC60J8821BSRE6
RNC60J8752BSB14
RNC60J8001BSB14
RNC60J9041BSB14
RNC60J9041BSRE6