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SI8819EDB-T2-E1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

2.9A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

±8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

900mV @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

80 毫欧 @ 1.5A，3.7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

650 pF @ 6 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

17 nC @ 8 V

供应商器件封装 :

4-MICRO FOOT®（0.8x0.8）

功率耗散（最大值） :

900mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

4-XFBGA

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

12 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.5V，3.7V