产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- C3M0040120D
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 66A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- +15V,-4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3.6V @ 9.5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2900 pF @ 1000 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 101 nC @ 15 V
- 供应商器件封装 :
- TO-247-3
- 功率耗散(最大值) :
- 326W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss) :
- 1200 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 15V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73F1JRTTD6202C
RS73F1JRTTD4700B
RS73F1JRTTD1150B
RS73G1JRTTD4702B
RS73G1JRTTD15R4C
RS73G1JRTTD1180B
RS73F1JRTTD1151C
RS73F1JRTTD2741C
RS73G1JRTTD4750B
RS73F1JRTTD8252C
RS73G1JRTTD4701B
RS73G1JRTTD1602B
RS73F1JRTTD6340B
RS73G1JRTTD35R7C
RS73F1JRTTD1581C
RS73F1JRTTD6043C
RS73G1JRTTD36R0B
RS73F1JRTTD1603B
RS73G1JRTTD8063B
RS73G1JRTTD1182B