数据列表

IMW120R090M1HXKSA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

26A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+23V，-7V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5.7V @ 3.7mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

117 毫欧 @ 8.5A，18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

707 pF @ 800 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

21 nC @ 18 V

供应商器件封装 :

PG-TO247-3-41

功率耗散（最大值） :

115W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-247-3

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1200 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

15V，18V