数据列表

G3R60MT07J

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

FET 类型 :

-

Vgs（最大值） :

+20V，-10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-263-7

功率耗散（最大值） :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

工作温度 :

-

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

750 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-