产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- C3M0016120D
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 115A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs（最大值） :
- +15V，-4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 3.6V @ 23mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 22.3 毫欧 @ 75A，15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 6085 pF @ 1000 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 207 nC @ 15 V
- 供应商器件封装 :
- TO-247-3
- 功率耗散（最大值） :
- 556W（Tc）
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 技术 :
- SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss） :
- 1200 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 15V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-817B27AY-B2-U
S-817B28AY-B2-U
S-817B29AY-B2-U
S-817B31AY-B2-U
S-817B32AY-B2-U
S-817B34AY-B2-U
S-817B35AY-B2-U
S-817B36AY-B2-U
S-817B37AY-B2-U
S-817B38AY-B2-U
S-817B39AY-B2-U
S-817B42AY-B2-U
S-817B43AY-B2-U
S-817B44AY-B2-U
S-817B45AY-B2-U
S-817B46AY-B2-U
S-817B47AY-B2-U
S-817B48AY-B2-U
S-817B49AY-B2-U
S-817B51AY-B2-U
