数据列表

CMUDM8005 TR PBFREE

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

650mA（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

360 毫欧 @ 350mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

100 pF @ 16 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

1.2 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

SOT-523

功率耗散（最大值） :

300mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-523

工作温度 :

-65°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.8V，4.5V