数据列表

EMF5XV6T1G

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V

供应商器件封装 :

SOT-563

功率 - 最大值 :

357mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

晶体管类型 :

1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，12V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA，100nA（ICBO）

电阻器 - 发射极 (R2) :

-

电阻器 - 基极 (R1) :

47 千欧

频率 - 跃迁 :

-