数据列表

NP0G3D200A

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

250mV @ 300µA，10mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

20 @ 5mA，10V / 80 @ 5mA，10V

供应商器件封装 :

SSS迷你型6-F1

功率 - 最大值 :

125mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-963

晶体管类型 :

1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

80mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

4.7 千欧，47 千欧

电阻器 - 基极 (R1) :

4.7 千欧，22 千欧

频率 - 跃迁 :

150MHz，80MHz