数据列表

NSTB60BDW1T1

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V

供应商器件封装 :

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率 - 最大值 :

250mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

150mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

47 千欧

电阻器 - 基极 (R1) :

22 千欧

频率 - 跃迁 :

140MHz