产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IMH15AT110
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SMT6
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-74，SOT-457
- 晶体管类型 :
- 2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- -
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 47 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0603D2R1CXBAC
VJ0603D2R1CXBAJ
VJ0603D2R1CXBAP
VJ0603D2R1CXCAC
VJ0603D2R1CXCAJ
VJ0603D2R1CXCAP
VJ0603D2R1CXPAC
VJ0603D2R1CXPAJ
VJ0603D2R1CXPAP
VJ0603D2R1CXXAC
VJ0603D2R1CXXAJ
VJ0603D2R1CXXAP
VJ0603D2R1DLAAC
VJ0603D2R1DLAAJ
VJ0603D2R1DLAAP
VJ0603D2R1DLBAC
VJ0603D2R1DLBAJ
VJ0603D2R1DLBAP
VJ0603D2R1DLCAC
VJ0603D2R1DLCAJ
