产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSBC124EDXV6T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 300µA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 5mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 晶体管类型 :
- 2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 22 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 22 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206J0250822JFR
1206J0250822JFT
1206J0250822JXR
1206J0250822KCR
1206J0250822KDR
1206J0250822KDT
1206J0250822KFR
1206J0250822KFT
1206J0250822KXR
1206J0250822MDR
1206J0250822MDT
1206J0250822MXR
1206J0250823JDR
1206J0250823JDT
1206J0250823JXR
1206J0250823KDR
1206J0250823KDT
1206J0250823KXR
1206J0250823MDR
1206J0250823MDT
