产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- CYT5551HCD TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-228
- 功率 - 最大值 :
- 2W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-228
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ASPI-0428S-271M-T
ISC1008ER221M
BPDC00030310150T00
BPSD00100954101K00
BPDS000303163R9T00
LSRNJ10145GL330MNY
BPCI00121260330TA0
CDC5D23BNP-221KC
ASPI-0428S-331M-T
BPDC00030310100M00
BPCI00121260100TA0
BPRR00101031100T00
LLRNJ10145GL331MNY
BPCI000707466R8T00
BPSC000707304R7MS0
CDC5D23BNP-270KC
ASPI-0428S-471M-T
BPDC00030310220T00
BPCI00121260181K00
BPSC000404188R2TS1
