产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5794U/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 900mV @ 30mA,300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 150mA,10V
- 供应商器件封装 :
- 6-SMD
- 功率 - 最大值 :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- -
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- -
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
K221J15C0GF53L2
C410C103K1R5TA
885012107011
FG28C0G1H100DNT00
FG18C0G1H220JNT00
FG28C0G1H220JNT00
FG18C0G1H470JNT00
FG18C0G1H100DNT00
C412C223K1R5TA
FG28X7R1H103KNT00
FG18C0G1H680JNT00
FG18C0G1H2R2CNT00
C3216X7T2E224K160AE
RCER72A105K2M1H03A
GRT32EC70J107ME13L
C3216C0G2A104K160AC
FG26X7R1H475KRT06
C3216X6S1A226M160AB
FG16X7R1H475KRT06
885012207053
