产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- QSZ4TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 370mV @ 75mA，1.5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 270 @ 200mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TSMT5
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP（耦合发射器）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 280MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SM662GAC-BESS
SM662GAC-BEST
CY7C1372KV33-200AXC
CY7C1382KV33-200AXC
EM032LXOAB320CS1R
EM032LXOAB320CS1T
CY7C1371KV33-100AXC
CY7C1371KV33-133AXC
CY7C1371KV33-133AXCT
CY7C1372KV25-167AXC
CY7C1372KV25-167AXCT
CY7C1372KV33-167AXC
CY7C1380KV33-167AXCT
CY7C1381KV33-133AXC
CY7C1383KV33-133AXC
CY7C1383KV33-133AXCT
CY7C1386KV33-167AXC
CY7C1386KV33-167AXCT
CY7C1386KV33-200AXC
CY7C1386KV33-200AXCT
