产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- VT6Z2T2R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 1mA，6V
- 供应商器件封装 :
- VMT6
- 功率 - 最大值 :
- 150mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-SMD
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 350MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1210Y1000332KAR
1210Y1000332KCR
1210Y1000332KDR
1210Y1000332KDT
1210Y1000332KER
1210Y1000332KFR
1210Y1000332KFT
1210Y1000332KXR
1210Y1000332MDR
1210Y1000332MDT
1210Y1000332MER
1210Y1000332MXR
1210Y1000333JDR
1210Y1000333JDT
1210Y1000333JER
1210Y1000333JXR
1210Y1000333KDR
1210Y1000333KDT
1210Y1000333KER
1210Y1000333KXR
