文档与媒体
- 数据列表
- BCM857QASZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1010B-6
- 功率 - 最大值 :
- 350mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-XFDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）配对
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 175MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD1352A25
RN731JTTD1502D50
RN731JTTD1292C10
RN731JTTD14R3D25
RN731JTTD1452D25
RN731JTTD1332F10
RN731JTTD1452B50
RN731JTTD1321C50
RN731JTTD1401C25
RN731JTTD1382F100
RN731JTTD13R3D25
RN731JTTD1330D50
RN731JTTD1332C50
RN731JTTD1303B25
RN731JTTD1320F100
RN731JTTD1300F10
RN731JTTD1353D25
RN731JTTD1371C50
RN731JTTD1423F100
RN731JTTD1370D10
