产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC847BPDXV6T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 600mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 357mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN,PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RP73D2B5K11BTDF
RP73D2B5K23BTDF
RP73D2B5K36BTDF
RP73D2B5K49BTDF
RP73D2B5K62BTDF
RP73D2B5K76BTDF
RP73D2B5K9BTDF
RP73D2B6K04BTDF
RP73D2B6K19BTDF
RP73D2B6K34BTDF
RP73D2B6K49BTDF
RP73D2B6K65BTDF
RP73D2B6K81BTDF
RP73D2B6K98BTDF
RP73D2B7K15BTDF
RP73D2B7K32BTDF
RP73D2B7K5BTDF
RP73D2B7K68BTDF
RP73D2B7K87BTDF
RP73D2B8K06BTDF
