文档与媒体
- 数据列表
- BC847BV,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-666
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNR55H2491FRRE5
RNR55H1101FRRE5
RNR55H1102FSRE5
RNR55H3320FSRE5
RNR55H1372FSRE5
RNR55H1101FMRE5
RNR55H2551FMRE5
RNR55H2551FPRE5
RNR55H2551FRRE5
RNR55H3322FMRE5
RNR55H1072FRRE5
RNR55H1152FRRE5
RNR55H2322FRRE5
RNR55H3091FRRE5
RNR55H1471FSRE5
RNR55H1961FMRE5
RNR55H2371FMRE5
RNR55H3092FPRE5
RNR55H5621FMRE5
RNR55H7871FMRE5
