产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- US6T8TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 25mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 270 @ 200mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TUMT6
- 功率 - 最大值 :
- 400mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 400MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0805J2001P50DCT
0805J2001P80DCT
0805J2002P20DCT
0805J2002P70DCT
0805J2501P00DCT
0805J2501P20DCT
0805J2501P50DCT
0805J2501P80DCT
0805J2502P20DCT
0805J2502P70DCT
C1206X104K4JACAUTO
06033C473J4Z2A
06035C473J4Z2A
GCG31MR91H334KA03L
MCJCE31LBB7475MTPA1J
MMJCE31LBB7475MTPA01
MCJCE31LBB7475MTPA01
MBJCE31LBB7475MTPA01
VJ0805A222JXAMT
VJ0805A272JXAAT
