产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SBC857CDW1T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 380mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNC50H16R9FSB14
RNC50H17R4FSB14
RNC55J17R4DSB14
RNC50H17R8FRB14
RNC50H17R8FSB14
RNC50H18R2FSB14
RNC50H18R7FSB14
RNC60J1800DSB14
RNC50H19R1FSB14
RNC50H19R6FSB14
RNC60J1001DRB14
RNC60J2491DPB14
RNC50H20R0FMB14
RNC50H20R5FSB14
RNC60J2003DRB14
RNC50H21R0FSB14
RNC50H21R5FRB14
RNC50H21R5FSB14
RNC50H22R1FSB14
RNC60J2232DSB14
