产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NST857BDP6T5G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 700mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-963
- 功率 - 最大值 :
- 350mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-963
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C921U151KYYDBAWL20
C921U151KYYDCAWL20
C927U151KYYDAAWL20
C927U151KYYDBAWL20
C927U151KYYDCAWL20
C921U151KYYDAA7317
C921U151KYYDBA7317
C921U151KYYDCA7317
C927U151KYYDAA7317
C927U151KYYDBA7317
C927U151KYYDCA7317
C921U151KZYDAAWL35
C921U151KZYDBAWL35
C921U151KZYDCAWL35
C927U151KZYDAAWL35
C927U151KZYDBAWL35
C927U151KZYDCAWL35
C921U151KZYDAAWL40
C921U151KZYDBAWL40
C921U151KZYDCAWL40
