产品概览
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- 数据列表
 - IMT3AT108
 
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
 - 500mV @ 5mA,50mA
 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
 - 120 @ 1mA,6V
 
- 供应商器件封装 :
 - SMT6
 
- 功率 - 最大值 :
 - 300mW
 
- 安装类型 :
 - 表面贴装型
 
- 封装/外壳 :
 - SC-74,SOT-457
 
- 工作温度 :
 - 150°C(TJ)
 
- 晶体管类型 :
 - 2 PNP(双)
 
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
 - 50V
 
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
 - 150mA
 
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
 - 100nA(ICBO)
 
- 频率 - 跃迁 :
 - 140MHz
 
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