产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC847BPDW1T3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 380mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
HSCDRRN001PDAA3
HSCDRRN005PDSA3
HSCDRRN010KDSA3
HSCDRRN030PDAA3
HSCDRRN060MD2A5
HSCDRRN060MDSA5
HSCDRRN100MDSA5
HSCDRRN100PGAA5
HSCDRRN160MDAA3
HSCDRRN250MDSA5
HSCDRRN400MDSA5
HSCMAND006BDAA5
HSCMAND006BGAA5
HSCMAND030PA3A5
HSCMAND030PGSA3
HSCMAND060PGAA5
HSCMAND060PGSA3
HSCMAND2.5BGAA5
HSCMANN015PD2A3
HSCMANN030PASA3
