产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SS8050-C-BP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 80mA，800mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1.5 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 190MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GCG155R71H391KA01D
GCG155R71H221KA01D
AC0805KKX7R9BB154
251R14S0R2BV4T
251R14S0R4BV4T
251R14S0R6BV4T
251R14S5R1DV4T
251R14S5R6DV4T
251R14S6R2DV4T
251R14S6R8DV4T
251R14S7R5DV4T
251R14S8R2DV4T
251R14S9R1DV4T
GRM319R72A682KA01J
K271K15X7RF53H5
K271K15X7RF5TL2
K271K15X7RF5UL2
K271M15X7RF53H5
K271M15X7RF53L2
K271M15X7RF5TH5
