产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1664-Q-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 100mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812J1000103MXRE03
1812J1000104MXRE03
1812J1000122MCRE03
1812J1000122MCTE03
1812J1000123MXRE03
1812J1000124MXRE03
1812J1000152MCRE03
1812J1000152MCTE03
1812J1000153MXRE03
1812J1000154MXRE03
1812J1000182MCRE03
1812J1000182MCTE03
1812J1000183MXRE03
1812J1000184MXRE03
1812J1000222MCRE03
1812J1000222MCTE03
1812J1000223MXRE03
1812J1000224MXRE03
1812J1000272MCRE03
1812J1000272MCTE03
