产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD667-B-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 150mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92MOD
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
PIC18F4221-I/ML
PIC24FJ96GA008-I/PT
PIC18LF1330-I/SO
PIC18F67J93-I/PT
PIC18F86K90-I/PTRSL
PIC18F66K80T-I/MR
DSPIC33EP512MC204-I/ML
PIC24EP512MC204-I/ML
PIC32MX270F256B-50I/SS
PIC32MX270F256BT-V/ML
DSPIC33EP512MC204T-I/MV
PIC24EP512GP204T-I/MV
PIC24EP512MC204T-I/MV
DSPIC33EV256GM106T-I/PT
DSPIC33EP32GS504-E/PT
PIC32MX250F256H-50I/PT
ATSAML22J18A-MUT
DSPIC33EP32GS505-E/PT
PIC32MX154F128BT-V/SO
PIC32MX154F128DT-I/ML
