产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB647-D-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 150mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92MOD
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CC0603KPX7R9BB152
CC0603KPX7R9BB682
CL03C5R6CA3GNNC
AC0402JRX7R7BB104
CL21B474KAFNFNE
CC0603KPX7R9BB333
CC0603MPX7R7BB104
CC0603KPX7R7BB683
GJM1555C1H5R1DB01J
GJM1555C1H5R6DB01J
GJM1555C1H6R0DB01J
GJM1555C1H6R2DB01J
GJM1555C1H6R8DB01J
GJM1555C1H7R0DB01J
GJM1555C1H7R5DB01J
GJM1555C1H8R0DB01J
GJM1555C1H8R2DB01J
GJM1555C1H9R0DB01J
GJM1555C1H9R1DB01J
CL21B224KAFNNNF
