产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1073-Q-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1V @ 100mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 2A,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 4 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2BTTD1912D100
RN73H2BTTD3092D50
RN73H2BTTD2871F100
RN73H2BTTD3201F25
RN73H2BTTD1523D50
RN73H2BTTD1932D25
RN73H2BTTD2641D100
RN73H2BTTD47R0F100
RN73H2BTTD2581D100
RN73H2BTTD17R6D25
RN73H2BTTD3971F25
RN73H2BTTD1980F100
RN73H2BTTD2870F50
RN73H2BTTD15R8F25
RN73H2BTTD1600F100
RN73H2BTTD2081D100
RN73H2BTTD1822D50
RN73H2BTTD3440D50
RN73H2BTTD3833F50
RN73H2BTTD1372D25
