产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1073-Q-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1V @ 100mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 2A,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 4 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LAYPH10040DL680MGA
LBRNJ10145GL220MN
SRR0906-152YL
CLS5D11HPNP-330NC
RCR1010NP-121M
IMC1210EB5R6K
PM638S-150-RC
CMLB051H-4R7MS
LAYPH10040DL100MGA
LMRNJ10145GL1R0NN
SRR0906-180ML
CLS5D11HPNP-3R0NC
RCR1010NP-150M
IMC1210EB6R8K
PM638S-180-RC
CMLB051H-6R8MS
LAYPH10040DL1R5NGA
LMRNJ10145GL151MN
SRR0906-181YL
CLS5D11HPNP-4R7NC
