文档与媒体
- 数据列表
- JANTXV2N5012
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- -
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 30 @ 25mA,10V
- 供应商器件封装 :
- TO-5
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-205AA,TO-5-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 700 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E11B30B1TTI
M55342E11B200ATTI
M55342E11B8B56TWI
M55342E11B30B5TTI
M55342E11B10B5TTI
M55342E11B32B0TWI
M55342E11B332ATTI
M55342E11B8B87TTI
M55342E11B11B0TTI
M55342E11B11B4TTI
M55342H11B4E99TWP
M55342E11B34B8TWI
M55342K11B137DTTIV
M55342K11B3E57TTIV
M55342K11B51D1TTIV
M55342K11B44E2TTIV
M55342K11B187DTTIV
M55342H11B20E0TTI
M55342K11B237DTTIV
M55342K11B43D2TTIV
