文档与媒体
- 数据列表
- BC856B/DG/B3,235
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 650mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 125 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RK73G2ATTD1021C
RK73G2ATTD3091D
RK73G2ATTD4753F
RK73G2ATTD6813F
RK73G2ATTD2800C
RK73G2ATTD95R3F
RK73G2ATTD7680C
RK73G2ATTD2202D
RK73G2ATTD15R0F
RK73G2ATTD36R5F
RK73G2ATTD1650C
RK73G2ATTD2051D
RK73G2ATTD16R5D
RK73G2ATTD3161F
RK73G2ATTD2263C
RK73G2ATTD47R5D
RK73G2ATTD2400F
RK73G2ATTD1820F
RK73G2ATTD3483D
RK73G2ATTD1302F
