产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA949-Y(TE6,F,M)
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 1mA，10A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 70 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92MOD
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 50 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
3504G3A1K18FTDF
3504G3A324RFTDF
3504G3A4K32FTDF
3504G3A140RFTDF
3504G3A110RFTDF
3504G3A1K5FTDF
3504G3A12K7FTDF
3504G3A17K8FTDF
3504G3A15KFTDF
3504G3A60R4FTDF
3504G3A267RFTDF
3504G3A23K7FTDF
3504G3A13K3FTDF
3504G3A18K2FTDF
3504G3A14K7FTDF
3504G3A4K64FTDF
3504G3A953RFTDF
3504G3A422RFTDF
3504G3A18K7FTDF
3504G3A8K06FTDF
