产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSVBSP19AT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 4mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 40 @ 20mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223（TO-261）
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 350 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 70MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MFP1WSBRD52-18K
MFP1WSBRD52-18K7
MFP1WSBRD52-19K1
MFP1WSBRD52-1K
MFP1WSBRD52-1K15
MFP1WSBRD52-1K21
MFP1WSBRD52-1K28
MFP1WSBRD52-1K33
MFP1WSBRD52-1K6
MFP1WSBRD52-1K75
MFP1WSBRD52-1K78
MFP1WSBRD52-1K8
MFP1WSBRD52-200R
MFP1WSBRD52-20K
MFP1WSBRD52-22K6
MFP1WSBRD52-235K
MFP1WSBRD52-249K
MFP1WSBRD52-24R9
MFP1WSBRD52-250R
MFP1WSBRD52-256K
