产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NJVMJD32CT4G-VF01
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.2V @ 375mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 10 @ 3A，4V
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.56 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20µA
- 频率 - 跃迁 :
- 3MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E06B49E9TBS
M55342K06B12B4TWS
M55342E06B49B9TWS
M55342E06B110ATWS
M55342E06B49B9TTS
M55342H06B16D9TWS
M55342E06B80E6TTS
M55342E06B249BTWS
M55342H06B57B6TBS
M55342H06B10B0TWS
M55342H06B698DTWS
M55342E06B3E40TWS
M55342E06B24B0TWS
M55342E06B2B49TWS
M55342E06B475DTWS
M55342H06B2E00TTS
M55342E06B7B15TWS
M55342E06B2B26TWS
M55342H06B100DTBS
M55342E06B499ATTS
