产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KST5550MTF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 140 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RLR32C1002GMRE8
RLR32C3303GMRE8
RLR32C2000GRRE8
RLR32C1302GPR64
RLR32C3003GMRE8
RLR32C3603GMRE8
RLR32C2702GRRE8
RLR32C1201GPRE8
RLR32C3901GMRE8
RLR32C2200GMRE8
RLR32C2201GMRE8
RLR32C6802GMRE8
RLR32C30R0GRRE8
RLR32C10R0GMRE8
RLR32C1803GPRE8
RLR32C2201GRRE8
RLR32C1803GRRE8
RLR32C1000GMRE8
RLR32C22R0GPRE8
RLR32C1500GMRE8
