文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1819GRL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 210 @ 2mA，10V
- 供应商器件封装 :
- S迷你型3-F2
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-85
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA1206A271KBEBR31G
GA1206A271KBEBT31G
GA1206A271KBLBR31G
GA1206A271KBLBT31G
GA1206A271KXABR31G
GA1206A271KXABT31G
GA1206A271KXBBR31G
GA1206A271KXBBT31G
GA1206A271KXCBR31G
GA1206A271KXCBT31G
GA1206A271KXEBR31G
GA1206A271KXEBT31G
GA1206A271KXLBR31G
GA1206A271KXLBT31G
GA1206A272FBABR31G
GA1206A272FBABT31G
GA1206A272FBBBR31G
GA1206A272FBBBT31G
GA1206A272FBCBR31G
GA1206A272FBCBT31G
