产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC859CLT1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206Y1000122MDR
1206Y1000122MDT
1206Y1000122MER
1206Y1000122MXR
1206Y1000123JDR
1206Y1000123JDT
1206Y1000123JER
1206Y1000123JXR
1206Y1000123KDR
1206Y1000123KDT
1206Y1000123KER
1206Y1000123KXR
1206Y1000123MDR
1206Y1000123MDT
1206Y1000123MER
1206Y1000123MXR
1206Y1000124JDR
1206Y1000124JDT
1206Y1000124JER
1206Y1000124JXR
