产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC859CLT1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD5050D25
RN731JTTD4750B50
RN731JTTD4422D50
RN731JTTD4810F25
RN731JTTD54R2B50
RN731JTTD48R7C25
RN731JTTD4700F50
RN731JTTD5491D100
RN731JTTD5101D10
RN731JTTD5231F25
RN731JTTD4701F50
RN731JTTD49R3F50
RN731JTTD4870C50
RN731JTTD51R7F25
RN731JTTD5421A25
RN731JTTD4421D25
RN731JTTD4530C10
RN731JTTD4990F100
RN731JTTD4990C10
RN731JTTD4421D50
