产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC639RL1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 40 @ 150mA,2V
- 供应商器件封装 :
- TO-92(TO-226)
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
QCCT501Q161F1GV002E
QCCT102Q6R2C1GV002E
QCCT102Q1R0A1GV001E
QCCP501Q120G1GV002T
QCCT102Q910G1GV001E
QCCF251Q100F1GV002T
QCCP501Q3R6A1GV001T
QCCP501Q430G1GV002T
QCCF251Q200J1GV002T
QCCF251Q5R1B1GV002T
QCCT102Q240F1GV002E
QCCT501Q151F1GV002E
QCCT102Q1R2B1GV002E
QCCT102Q5R6C1GV002E
QCCP501Q300F1GV002T
QCCT102Q750K1GV001E
QCCT102Q3R6C1GV001E
QCCT102Q110G1GV001E
QCCT102Q0R2A1GV001E
QCCP501Q1R9D1GV002T
