产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSB1151YSTSSTU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 200mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 160 @ 2A,1V
- 供应商器件封装 :
- TO-126-3
- 功率 - 最大值 :
- 1.3 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-225AA,TO-126-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2ATTD4173D10
RN73H2ATTD3092D10
RN73H2ATTD5600D10
RN73H2ATTD5102D10
RN73H2ATTD4640D10
RN73H2ATTD3320D10
RN73H2ATTD4870D10
RN73H2ATTD3831D10
RN73H2ATTD4322D10
RN73H2ATTD3001D10
RN73H2ATTD4931D10
RN73H2ATTD4421D10
RN73H2ATTD3573D10
RN73H2ATTD4073D10
RN73H2ATTD4370D10
RN73H2ATTD3652D10
RN73H2ATTD5492D10
RN73H2ATTD3402D10
RN73H2ATTD4752D10
RN73H2ATTD4642D10