产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSD882RS
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 200mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 60 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- TO-126-3
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-225AA,TO-126-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 90MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1JTTD3362F25
RN73H1JTTD33R6F50
RN73H1JTTD3440D100
RN73H1JTTD3401D25
RN73H1JTTD3281F50
RN73H1JTTD3401F25
RN73H1JTTD4421D25
RN73H1JTTD45R9F25
RN73H1JTTD32R4D100
RN73H1JTTD31R6F50
RN73H1JTTD32R8F50
RN73H1JTTD3602D50
RN73H1JTTD4872D100
RN73H1JTTD4122D100
RN73H1JTTD4300D50
RN73H1JTTD4933D100
RN73H1JTTD62R0F25
RN73H1JTTD53R0F100
RN73H1JTTD40R2D25
RN73H1JTTD3922F100
