产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSD1616GTA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 750 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 160MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR01BX821BKZMAT
CDR01BX821BKZPAT
CDR01BX821BKZRAT
CDR01BX821BKZSAT
CDR02BP221BJZMAT
CDR02BP221BJZPAT
CDR02BP221BJZRAT
CDR02BP221BJZSAT
CDR02BP221BKZMAT
CDR02BP221BKZPAT
CDR02BP221BKZRAT
CDR02BP221BKZSAT
CDR02BP271BJZMAT
CDR02BP271BJZPAT
CDR02BP271BJZRAT
CDR02BP271BJZSAT
CDR02BX103BKZMAT
CDR02BX103BKZPAT
CDR02BX103BKZRAT
CDR02BX103BKZSAT
