产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSB564ACOBU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 100mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 100mA,1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 110MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
NCV59748MLADJTBG
ADP130AUJZ-1.8-R7
ADP160AUJZ-1.5-R7
ADP162AUJZ-3.0-R7
ADP162AUJZ-3.1-R7
NCV5661MN18T2G
ADP166AUJZ-R7
ADP166AUJZ-1.2-R7
L99VR01STR
MCP1826T-5002E/DC
MCP1826ST-1202E/DB
NCP59763AMN050TBG
NCP59763AMN080TBG
NCP59763AMN100TBG
NCP716BSN300T1G
S-1212BC0-E8T1U
BA30BC0WFP-E2
BA80BC0WFP-E2
BAJ0BC0WFP-E2
BA33E00WHFP-TR
