产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SGSD200
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 3.5V @ 80mA，20A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 500 @ 10A，3V
- 供应商器件封装 :
- TO-247-3
- 功率 - 最大值 :
- 130 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- -
- 晶体管类型 :
- PNP - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 25 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CC1812KKX7RYBB104
GC332DD7LQ683KX18L
FG28C0G1H102JNT00
C1812V473MDRAC7800
GRT32EC70G107ME13L
1808GC332KAT2A
C1812C683K1RAC7800
GR332DD7LQ104KW01L
KRM31KC81E106KH01L
FG28C0G1H222JNT00
DE1B3RA151KA4BH01F
VJ0505D4R7CXPQJHT
DE1B3RA681KJ4BH01F
DE1B3RA101KA4BH01F
DE1E3RA102MA4BH01F
1812AA471JAT2A
DE1E3RA152MJ4BH01F
DE1B3RA471KJ4BH01F
DE1E3RA102MJ4BH01F
DE1B3RA471KA4BH01F
