产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5366_D75Z
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 30mA，300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 50mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
WLCM1005Z0S1N6TB
WLCM0603Z0B0N3TB
LQP02TN0N7B02D
LQP02TN1N7C02D
MLG0603S0N3BT000
ILC0603ER56NJ
BSPQ000603041N7C00
MLG0603S1N8CTD25
WLCM1005Z0S1N1TB
WLCM0603Z0B1N2TB
LQP02TN0N8B02D
LQP02TN1N8C02D
MLG0603S0N4BT000
ILC0603ER68NJ
BSPQ000603041N5C00
MLG0603S2N0CTD25
WLCM1005Z0S1N0TB
WLCM0603Z0B1N6TB
LQP02TN12NH02D
LQP02TN1N9C02D
